半導體芯片可靠性試驗是通過模擬芯片在實際應用中可能遭遇的極端環(huán)境（如高溫、低溫、濕度、機械沖擊等）和長期工作狀態(tài)，系統(tǒng)性評估其性能穩(wěn)定性、壽命及失效模式的測試過程。其核心目標是確保芯片在預設壽命內，能夠持續(xù)穩(wěn)定地完成預期功能，同時滿足行業(yè)標準與終端應用場景的嚴苛要求。
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環(huán)境應力試驗
預處理 目的：通過模擬實際使用環(huán)境中的各種應力和條件，提前識別和排除潛在缺陷，確保芯片在后續(xù)流程中的可靠性。 測試方法：JEDEC JESD22-A113 有偏溫濕度或有偏高加速應力測試 目的：是通過施加電偏置+環(huán)境應力的復合條件，加速失效機制，從而識別設計、材料或工藝中的薄弱環(huán)節(jié)。 測試方法：JEDEC JESD22-A101或A110 高壓或無偏高加速應力測試或無偏溫濕度 目的：用于評估芯片在無電偏置條件下對極端環(huán)境或機械應力的耐受能力，重點關注材料穩(wěn)定性、封裝完整性以及工藝缺陷的暴露。 測試方法：JEDEC JESD22-A101、A102或A118 溫度循環(huán) 目的：通過模擬芯片在實際使用、存儲或運輸過程中經歷的溫度劇烈變化，加速暴露因熱機械應力導致的材料疲勞、界面失效或結構缺陷。 失效模式：如熱疲勞、電遷移、連接點失效等 測試方法：JEDEC JESD22-A104 功率溫度循環(huán) 目的：驗證芯片在電熱耦合應力下的長期可靠性，尤其關注功率器件、互連結構及封裝材料的耐久性。 測試方法：JEDEC JESD22-A105 高溫儲藏壽命 目的：通過將芯片置于高溫環(huán)境中儲存，達到評估芯片在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定性、加速芯片老化過程、篩選出潛在的質量問題、為產品設計和應用提供數據支持的目的。 測試方法：JEDEC JESD22-A103 2 加速壽命試驗 早期壽命失效率 目的：通過加速應力條件篩選出制造缺陷或潛在工藝瑕疵引發(fā)的早期失效產品，確保芯片在交付客戶后的失效率符合預期。 測試方法：AEC-Q100 高溫工作壽命 目的：通過模擬高溫環(huán)境，評估高溫工況下的性能穩(wěn)定性以及加速老化進程以預測實際壽命。 測試方法：JEDEC JESD22-A108 非易失性存儲器耐久性、數據保持性、工作壽命 目的：確保存儲單元在反復擦寫、長期存儲及實際工作條件下的數據完整性和功能穩(wěn)定性。 測試方法：AEC-Q100
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